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Intel presenta la prima memoria flash a 90 nanomet
21-11-05 08:15
Intel Corporation ha annunciato di aver avviato la distribuzione del primo dispositivo di memoria flash NOR MLC (Multi-Level Cell) a 90 nanometri disponibile nel settore.
La nuova memoria cellulare Intel StrataFlash (M18) offre prestazioni elevate, una
maggiore densità e un consumo di energia ridotto rispetto alla precedente versione a 130 nm, per rispondere alla crescente domanda di sofisticati telefoni cellulari dotati di fotocamera, display a colori, accesso al Web a video.
La memoria flash è una delle tecnologie trainanti per lo sviluppo della nuova generazione di telefoni cellulari - ha commentato Darin Billerbeck, Vice President e General Manager del Flash Products Group di Intel - Il prodotto M18 offre ai progettisti di cellulari la combinazione unica di prestazioni, densità e basso consumo richiesta per gli attuali apparecchi. È inoltre basato sulla quinta generazione Intel della tecnologia MLC affidabile e a costi contenuti, e sulla litografia con processo a 90 nm”. Il prodotto M18 offre le velocità di lettura più elevate oggi disponibili nel settore, consentendo alla nuova memoria flash di operare alla stessa frequenza del bus della nuova generazione di chipset per cellulari, ossia fino a 133 MHz. In questo modo l'esecuzione delle applicazioni utente risulta velocizzata, perché l'interazione tra il chipset e la memoria è più veloce rispetto alla versione a 130 nm. Con velocità di scrittura fino a 0,5 MB/secondo, il prodotto M18 supporta fotocamere a 3 MP (megapixel) e video MPEG4.
Gli OEM potranno trarre vantaggio dai costi di produzione inferiori che risultano da velocità di programmazione in fabbrica fino a tre volte più elevate rispetto alle precedenti versioni a 130 nm. Il prodotto M18 consuma un terzo dell'energia per la programmazione e circa la metà per la cancellazione rispetto ai prodotti della generazione precedente, e offre una nuova modalità di funzionamento Deep Power Down per prolungare la durata della batteria.
Anche la portata della densità della flash NOR risulta migliorata, con soluzioni su singolo chip di 256 Mb e 512 Mb e soluzioni con packaging in stack standard fino a 1 Gb. Gli stack standard all'avanguardia di Intel combinano NOR e RAM in più architetture del bus, e migliorano i tempi di introduzione sul mercato e la flessibilità della linea di fornitura degli OEM. Intel collabora con l'ecosistema dei cellulari per consentire ai clienti di ridurre i tempi di integrazione, migliorare le prestazioni e ottimizzare le piattaforme dei progetti di riferimento. Secondo Billerbeck, Intel ha collaborato con importanti fornitori di chipset per cellulari come ADI, Philips, Infineon e MediaTek oltre che con fornitori di sistemi operativi come Symbian e MontaVista per assicurare la compatibilità dei loro prodotti con la famiglia di prodotti M18 a 90 nm. Intel ha distribuito design win a otto OEM di cellulari, tra cui NEC e Sony Ericsson. “Le prestazioni, l'alta densità e i costi contenuti della memoria cellulare Intel Strata Flash (M18) rappresentano la combinazione ideale per i telefoni con funzionalità avanzate di Sony Ericsson”, ha affermato Peter Carlsson, Vice President e Head of Sourcing per Sony Ericsson.
Da news cellulari.
La memoria flash è una delle tecnologie trainanti per lo sviluppo della nuova generazione di telefoni cellulari - ha commentato Darin Billerbeck, Vice President e General Manager del Flash Products Group di Intel - Il prodotto M18 offre ai progettisti di cellulari la combinazione unica di prestazioni, densità e basso consumo richiesta per gli attuali apparecchi. È inoltre basato sulla quinta generazione Intel della tecnologia MLC affidabile e a costi contenuti, e sulla litografia con processo a 90 nm”. Il prodotto M18 offre le velocità di lettura più elevate oggi disponibili nel settore, consentendo alla nuova memoria flash di operare alla stessa frequenza del bus della nuova generazione di chipset per cellulari, ossia fino a 133 MHz. In questo modo l'esecuzione delle applicazioni utente risulta velocizzata, perché l'interazione tra il chipset e la memoria è più veloce rispetto alla versione a 130 nm. Con velocità di scrittura fino a 0,5 MB/secondo, il prodotto M18 supporta fotocamere a 3 MP (megapixel) e video MPEG4.
Gli OEM potranno trarre vantaggio dai costi di produzione inferiori che risultano da velocità di programmazione in fabbrica fino a tre volte più elevate rispetto alle precedenti versioni a 130 nm. Il prodotto M18 consuma un terzo dell'energia per la programmazione e circa la metà per la cancellazione rispetto ai prodotti della generazione precedente, e offre una nuova modalità di funzionamento Deep Power Down per prolungare la durata della batteria.
Anche la portata della densità della flash NOR risulta migliorata, con soluzioni su singolo chip di 256 Mb e 512 Mb e soluzioni con packaging in stack standard fino a 1 Gb. Gli stack standard all'avanguardia di Intel combinano NOR e RAM in più architetture del bus, e migliorano i tempi di introduzione sul mercato e la flessibilità della linea di fornitura degli OEM. Intel collabora con l'ecosistema dei cellulari per consentire ai clienti di ridurre i tempi di integrazione, migliorare le prestazioni e ottimizzare le piattaforme dei progetti di riferimento. Secondo Billerbeck, Intel ha collaborato con importanti fornitori di chipset per cellulari come ADI, Philips, Infineon e MediaTek oltre che con fornitori di sistemi operativi come Symbian e MontaVista per assicurare la compatibilità dei loro prodotti con la famiglia di prodotti M18 a 90 nm. Intel ha distribuito design win a otto OEM di cellulari, tra cui NEC e Sony Ericsson. “Le prestazioni, l'alta densità e i costi contenuti della memoria cellulare Intel Strata Flash (M18) rappresentano la combinazione ideale per i telefoni con funzionalità avanzate di Sony Ericsson”, ha affermato Peter Carlsson, Vice President e Head of Sourcing per Sony Ericsson.
Da news cellulari.